炸裂！UFS 3.0读写速度曝光

在旗舰手机基本上普及了UFS 2.0/2.1存储芯片之后，性能更强的UFS 3.0芯片有望在今年的旗舰机上开始出现。

日前，外媒曝光了一张号称是UFS 3.0读写速度测试的图片，图片显示其持续读取速度达到了2279.8MB/s，持续写入速度达到了1101.1MB/s，4KB随机读取速度为146.4MB/s，4KB随机写入速度为137.5MB/s。

作为对比，目前的UFS 2.1持续读取达到900MB/s，持续写入达到200MB/s左右都可以说是非常优秀的数字，UFS 3.0的性能绝对属于炸裂级别的提升。

不过在4KB随机读写方面，UFS 3.0就没什么优势可言了，这次曝光的成绩还要略低于UFS 2.1的表现。

值得一提的是，此前三星就已经官宣了旗下的UFS 3.0芯片，预计会在今年上半年出货，提供128GB、256GB、512GB三种容量版本可选。

芯片组的支持方面，目前骁龙855和Exynos 9820均确定支持UFS 3.0，所以今年的旗舰机如果没用上UFS 3.0的话，其实都不算顶级旗舰了。

此外，爆料源透露，截图来自一加7，这意味着一加已经开始测试下一代旗舰机了，但目前还没有证据证实此事。