小米澎湃P1并非自研？官方回应：实锤来了

小米12 Pro目前已上市发售，除了配置堆料以外，还实现了120W单电芯方案，搭载澎湃P1自研充电芯片。

2月8日消息，上海南芯半导体科技发布说明，表示最近网络上出现了很多关于小米澎湃P1的不实传言，传言与事实完全不符，现做出如下说明：

1、小米澎湃P1芯片为小米自研设计、南芯半导体代工(内部代号SC8561)。这款芯片具备超高压4:1充电架构，实现了120W单电芯充电，支持1:1、2:1和4:1转换模式，所有模式均可双向导通，可实现有线120W、无线50W、无线反充等多种充电功能。

2、南芯半导体2021年9月发布的南芯SC8571，为超高压4:2充电架构，可实现120W双电芯充电，其针对超大功率充电需求，支持4:2、2:2两种模式。

3、小米自研的澎湃P1充电芯片与南芯SC8571拓扑结构完全不同，是不同设计、不同功能、不同定位的两颗充电芯片。

根据上述回应得知，小米澎湃P1芯片完全是由小米自研设计，然后由南芯半导体代工。

据小米官方介绍，澎湃P1作为业界首个谐振充电芯片，拥有自适应开关频率的4:1超高效率架构，谐振拓扑效率高达97.5%，非谐振拓扑效率为96.8%，热损耗直线下降 30%。

同时澎湃P1也是小米充电效率最高的4:1充电芯片，可做到0.83W/mm²超高功率密度，LDMOS也达到业界领先超低1.18mΩmm²RSP，每片澎湃P1在出厂时都需要通过2500多项测试，远高于传统电荷泵。