苹果HMO技术路线浮现：下一代OLED优先复用溅射工艺

今天，据报道，苹果正在开发下一代OLED面板用的高迁移率氧化物（HMO）技术，成膜方式上优先考虑溅射，最终量产方案尚未敲定。

三星显示与LG显示同时在推进溅射与原子层沉积（ALD）两条路线。取舍的焦点是成本：ALD的薄膜精度和特性控制更好，设备与材料却更贵；溅射能直接沿用现有OLED产线，压力小得多。

苹果因此更倾向于先评估溅射的可行性。HMO被视为未来MacBook、iMac等高分IT用OLED的候选技术，眼下高端OLED普遍采用硅与氧化物混用的LTPO。

三星显示在开发溅射HMO的同时也在验证ALD，重点确认苹果要求的电子迁移率和可靠性能否在大尺寸基板上成立。

LG显示在第6代中小尺寸OLED产线上推进溅射HMO。去年该公司用ALD制备的氧化物TFT实现了约40cm²/Vs的迁移率；考虑到新增设备投资的负担，它同样更看重复用溅射设备。

HMO的本质是提升OLED中薄膜晶体管（TFT）的性能，后者控制每个像素的开关与亮度。

现有氧化物TFT的迁移率在10cm²/Vs上下，HMO的目标是30至50cm²/Vs，迁移率越高，越有利于高分辨率和高刷新率画面。难点在于成品面板经过多道制程、温度与光照后仍要维持这一特性。