作为半导体代工巨头,台积电近几年可谓是风生水起,被视为明年旗舰SoC标配的5nm工艺愈发成熟,其中苹果A14和麒麟9000均是由5nm工艺打造。
在9月份对外公布3nm量产目标之后,这家代工厂巨头又信心满满官宣了3nm工艺的增强版,命名为“3nm Plus”,将会在2023年推出。
据悉,台积电3nm Plus工艺的首发客户是苹果,按照后者一年一迭代更新频率来看,2023年应该是A17,此外3nm的第一波产能也已经被苹果包圆。
至于3nm Plus相比于3nm有何变化,台积电并未详细透露,但可以分析的是拥有更多的晶体管密度、更低的功耗。
参考台积电此前公布的3nm提升,相比5nm工艺,3nm将可以带来25~30%的功耗减少以及10~15%的性能提升,同时电晶体密度提升70%。
此外,台积电2nm GAA工艺研发进度提前,目前已经结束了路径探索阶段,但3nm和3nm Plus依然是传统的FinFET(鳍式场效应晶体管),三星则是提前于3nm导入GAA技术。
GAA的制造和传统FinFET有着相似之处,但前者技术要求更高,难度也更大,成本相应提升,虽然各家对于GAA工艺的鳍片形状不同,但本质上基本一样。
从先进制程工艺方面,三星似乎想实现弯道超车,在3nm超越台积电,而且三星也公开表示,要到2030年超过台积电,取代后者的代工地位。
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