日前，有媒体报道称，三星3nm制程工艺将在2024年下半年趋于成熟。
同时，三星将开始大规模生产基于3nm制程工艺的Exynos处理器Exynos 2500，由三星Galaxy S25系列首发搭载。
据悉，在3nm制程上，三星率先应用了全环绕栅极工艺（GAA，全称Gate-All-AroundT），打破了FinFET技术的性能限制。
依靠这一工艺，三星实现了通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时通过增加驱动电流增强芯片性能。
与5nm制程相比，三星3nm GAA工艺可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%。
原创文章，作者：liunaihe，如若转载，请注明出处：http://www.antutu.com/doc/131850.htm
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