明年储存还要涨！三星称HBM产能已被预定至明年 需求远超预期

韩国产业媒体THE ELEC称，三星电子在近期财报电话会上表示，其面向人工智能加速器的高带宽记忆体 HBM 产能已被客户预订至明年，需求远超过三星原先的供应规划，三星正在检视并扩大相关产能以应对订单压力。

此前，三星在第三季度财报中披露，半导体部门业绩显著回升，并确认将把更多资源投向高级记忆体产品线以满足 AI 基础设施的需求增长，同时，三星管理层表示即便考虑到既有扩产计划，客户对 HBM 的预订仍可能超过可供产能，同时三星正与 Nvidia 就下一代 HBM4 芯片的供货进行密切磋商，并已向客户提供样品以完成测试，目标在明年把 HBM4 投入市场。

由于人工智能的兴起，Nvidia 等大型 AI 芯片厂商正拉动 HBM 需求扩张，此类大客户的预订会迅速占用大量产能，从而引发短期紧缺，这种供需失衡已对产业链的价格产生巨大影响，随着厂商将产能转向高附加值的 HBM 产品，主流 DDR5/普通 DRAM 的有效供给被压缩，导致近期记忆体报价显著上扬，这种结构性供需紧张将至少延续到 2026 年上半年，驱动厂商加速扩产计划。

除了三星之外，SK hynix 也已将多项记忆体产能售罄，全球主要 HBM 与 DRAM 生产商均面临产能不足问题，并将大幅上调其相关产品售价。

而手机使用的UFS（基于 NAND Flash）和 LPDDR（基于 DRAM）等产品，虽然不使用HBM技术，但 AI 加速器与数据中心对 HBM / 高端 DRAM 的超预订、抢占式采购，直接挤占了先进晶圆产能与封装/测试资源。

厂商把产线优先分配给高附加值的 HBM 与服务器 DRAM 时，普通移动 DRAM（LPDDR）与 NAND 的供给就会在短期被压紧，导致整体 DRAM 产能趋紧并推升报价；同时这些产品在封测、测试设备、产线排期上也存在交叉，当高利润的 AI 相关订单占用优先资源时，手机用的存储与内存的出货节奏与成本也会被影响，进而在合约层面推高 LPDDR5X 与 UFS 报价。