高通骁龙X60 5G基带发布:5nm工艺 规格飙升

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第二代5G基带芯片骁龙X55还没几款手机用上,高通就发布了旗下的第三代5G基带芯片骁龙X60。

按照官网说法,骁龙X60是基于5nm工艺制造的是,也是全球首款5nm芯片,与之配套的还有响应的射频系统,对5G网络性能进一步强化。

高通骁龙X60 5G基带发布:5nm工艺 规格飙升

按照高通的说法,得益于全新的5nm工艺,骁龙X60能效更高,面积更小,相比上代骁龙X55重点增强了载波聚合能力,通过广泛的频谱组合,方面运营商灵活部署。

相比骁龙X55来说,骁龙X60新增的功能包括:

-支持5G FDD-TDD 6GHz以下频段载波聚合,可充分利用频谱资源,重新规划LTE频谱,从而提升网络容量、峰值速率。

-支持5G TDD-TDD 6GHz以下频段载波聚合,相比于骁龙X55 5G SA峰值速率翻倍。

-支持毫米波-6GHz以下频段聚合,为运营商提供更丰富的选择,兼顾实现最优网络容量、覆盖,峰值吞吐速率也超过5.5Gbps。

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此外,骁龙X60还支持VoNR(Voice over NR),可通过5G新空口提供高质量的语音服务,也是全球移动行业从NSA非独立组网向SA独立组网模式演进的重要一步。

至于向下兼容2/3/4G网络、DSS动态频谱共享、全球多SIM卡支持、SA/NSA双模等等骁龙X55就支持的技术自然也全部继承了过来。

但在峰值速率方面,骁龙X60并没有实现更进一步的提升,依然停留在最高7.5Gbps的下行速率以及3Gbps的上行速率,理论上短期内也不会有商用网络达到这一速率,完全不是瓶颈。

高通骁龙X60 5G基带发布:5nm工艺 规格飙升

在推出X60基带的同时,高通还发布了与之配套的第三代面向移动终端的毫米波模组“QTM535”,相比上代QTM525尺寸更窄、性能更强。

得益于体积的进一步缩小,QTM535适用于的手机厚度和尺寸方面也能得到更好的控制,或者说在同样的尺寸下能留出更多的空间容纳电池。

规格方面,QTM535支持26GHz、28GHz、39GHz等全球毫米波频段,包括美国、韩国、日本、欧洲、澳大利亚等地。

官方称,高通的毫米波方案是最全面、最先进的,而竞争对手的方案要么不支持毫米波、要么没有商用,或者仅仅支持单一的毫米波频段。

骁龙X60 5G基带方案和QTM535毫米波模组预计在2020年第一季度出样,而搭载骁龙X60方案的5G智能手机预计在2021年初推出。

毫无疑问,骁龙X60应该是高通下一代旗舰平台骁龙875的配套芯片,但究竟是集成在SoC内部还是外挂目前尚不能下定论。

另外,从三星公布的消息来看,骁龙X60的5nm工艺来自三星。

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原创文章,作者:xiaopeng,如若转载,请注明出处:http://www.antutu.com/doc/120730.htm

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