九峰山实验室打造全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆

九峰山实验室近日宣布，全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在九峰山实验室下线。

据了解，硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆为目前全球硅基化合物光电集成最先进技术，该项成果可实现超低损耗、超高带宽的高端光芯片规模制造，为目前全球综合性能最优的光电集成芯片。

铌酸锂是一种具有优异的光电/压电/非线性等物理性能的材料，在滤波器、光通讯、量子通信、航空航天等领域均发挥着重要作用。但铌酸锂材料脆性大，大尺寸铌酸锂晶圆制备工艺困难，铌酸锂微纳加工制备工艺也一直被视为挑战。

九峰山实验室工艺中心基于8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆，单片集成光电收发功能，成功破解了这一难题。

九峰山实验室表示，此项成果为薄膜铌酸锂光电芯片的研制与超大规模光子集成提供了一条极具前景的产业化技术路线，为高性能光通信应用场景提供工艺解决方案。

未来，随着基于铌酸锂的光源、光调制、光探测等重要器件的实现，铌酸锂光子集成芯片有望像硅基集成电路一样，成为高速率、高容量、低能耗光学信息处理的重要平台，在光量子计算、大数据中心、人工智能及光传感激光雷达等领域彰显其应用价值。