三星否认使用SK海力士技术制造高级芯片

近日，有报道称三星电子将使用竞争对手SK海力士的技术来制造用于包括人工智能在内的各种应用的高带宽内存（HBM）芯片，这一举措被认为是为了提高HBM芯片的产量。

不过目前，三星否认了这一说法，坚称将继续使用三星自己的非导电膜（NCF）方法来制造HBM芯片。

三星的HBM芯片采用非导电膜方法，通过堆叠芯片层来制造。这种方法适用于层数较少的芯片，但在层数较多的芯片中会出现问题，导致产量降低。据称，这是三星在HBM领域落后于主要AI芯片制造商如英伟达的原因之一。

与此同时，SK海力士采用的大规模回流模塑填充工艺似乎没有同样的缺陷，并提供了60-70%的产量。这使得SK海力士在市场上占据了主导地位，并最近与英伟达签订了供应HBM芯片的协议。

对于外界的传言，三星发言人明确表示：“关于三星电子将应用MR-MUF于其HBM生产的传言不属实。”发言人还驳斥了有关产量低的报道，称三星一直保持着其HBM芯片的稳定产量率。

目前，三星电子的管理团队在逐渐年轻化，以更好地应对当前的挑战。

根据三星电子2023年的业务报告分析，公司去年有1,163名注册和非注册的高管，尽管大多数高层仍然是50多岁的男性，但年轻化的变化已经显现。

例如，三星电子最年轻的高管是1985年出生的Bae Bum-hee，目前担任三星移动部门的董事总经理。随着更多80后加入高管团队，三星正为今年的商业挑战做好准备。此外，三星在其管理团队中女性高管的数量也有了显著增加，进一步凸显了公司认为高层管理的多元化对于业务持续成功至关重要。