三星为SoC“降温”再出新招 将SoC与内存并排放置

据韩媒ZDNET报道，三星电子为改善自家Exynos处理器的散热与封装设计，正在开发名为“SbS（side-by-side）”的横向封装结构，并在高端芯片上采用更薄的Heat Path Block（HPB）散热块以吸热导热，降低实际使用时的温度并提升多核持久性能。

目前，三星在Exynos 2600上引入了HPB技术——以铜为主的导热块直接置于AP之上，并与DRAM一并配置以增强热流路径，三星称HPB的引入使温升下降约为30%左右，改善热节流问题并提升连续负载下的表现。

而，SbS结构将DRAM与AP横向并列，配合更薄的HPB，可放宽封装厚度限制，允许单芯片在厚度与散热设计上有更大空间，从而进一步优化功耗与信号传输路径。

三星也将该结构称为“FOWLP-SbS”，相较于三星在Exynos 2400上，为改善I/O布局与散热表现采用的FOWLP，新的SbS思路是把DRAM从传统的PoP竖直堆叠改为平面并列，使芯片在厚度上可做出不同权衡，也被视为向3D封装演进的过渡方案。

不过值得注意的是，SbS会增加单颗封装的占位面积，意味着终端厂商在机身设计上要面临更大空间压力，尤其是在追求极致纤薄的直板手机，因此业界普遍判断，SbS工艺的芯片产品初期可能优先应用于对厚度容忍度更高且对散热更敏感的机型，如折叠屏。

另有业内人士指出，若整机厂商接受较大封装面积并配合重新设计散热与结构，SbS的商用化将被提前。