高通官方曝光骁龙835 10nm工艺支持QC4.0

    高通近日官方透露了其下一代旗舰SoC的相关信息，据悉这代旗舰平台将被命名为骁龙835而不是骁龙830，采用三星10nm FinFET工艺，并且支持最新的QuickCharge 4.0快充技术，同时兼容USB PD标准。

高通官方曝光骁龙835 10nm工艺支持QC4.0

    进度方面，据悉骁龙835在10月份就已进入量产阶段，明年上半年将有搭载该平台的机型商用。性能方面相比上代提升27%，功耗降低40%，芯片尺寸将节省30%。

    而快充方面，新的QuickCharge 4.0将在保持与3.0相同的最高18W充电功率上面速度提升20%。

高通官方曝光骁龙835 10nm工艺支持QC4.0

    高通产品管理副总裁Keith Kressin表示，采用新的10nm工艺将促使骁龙835在提升性能的同时更具能效比，节省出来的芯片空间也将允许为骁龙835加入更多提升用户体验的组件。